МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»
МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА Звіт до лабораторної роботи № 6 з навчальної дисципліни: “Електроніка та мікросхемотехніка”  Львів – 2009 Мета роботи: Ознайомитися з особливостями роботи польового транзистора, промоделювати стокові та стоково-затворні характеристики, визначити параметри польового транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=20В і Е2=4В. Зняти вхідну ВАХ IС=f(UЗВ) якщо UСВ=const, вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора J1- 2N3972. Визначити вихідний диференціальний опір, напругу відсікання та крутизну характеристики транзистора включеного у схему рис.1.а). Синтезувати схему, рис.1.б,), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=15В і Е2=5В. Зняти вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора M1- IRF024. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів.

а) б) Рисунок 4 - Схеми дослідження різних видів польових транзисторів: а) включення транзистора з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу зі спільним витоком, б) включення транзистора з ізольованим затвором та індукованим каналом п-типу зі спільним витоком. 1. Дослідження характеристик транзистора 2N3972. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IС=f(UЗВ), якщо UСВ=const Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const 2. Розрахунок параметрів транзистора 2N3972. Диференціальний опір:
Крутизна характеристики:
Напруга відсіку:
3. Дослідження характеристик транзистора IRF024. Рисунок 4 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const 4. Порівняння вихідних характеристик для різних типів транзисторів. Висновок: Як бачимо вихідні характеристики даних транзисторів на перший погляд однакові, спочатку струм стоку стрімко та майже лінійно збільшується, потім, при досягненні певної напруги стік-витік струм залишається майже сталим до досягнення такого значення при якому настає пробій. Різниця полягає у тому, що для польового транзистора з керувальним p-n переходом при зменшенні напруги затвор-стік буде збільшуватися струм стоку, а в польовому транзисторі з індукованим каналом струм стоку буде збільшуватися при збільшенні даної напруги.